到達目標
1.電磁気現象の基礎事項を理解している。A4
2.直流・交流回路の基礎事項を理解している。A4
3.半導体の基本特性に関する基礎事項を理解している。A4
4.絶縁体の基本特性に関する基礎事項を理解している。A4
5.磁性体の基本特性に関する基礎事項を理解している。A4
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
評価項目1
(到達目標1) | 電磁気現象の基礎事項を理解し,充分に説明できる。 | 電磁気現象の基礎事項を理解し,概ね説明できる。 | 電磁気現象の基礎事項を理解していない。 |
評価項目2
(到達目標2) | 直流・交流回路の基礎事項を理解し,充分に説明できる。 | 直流・交流回路の基礎事項を理解し,概ね説明できる。 | 直流・交流回路の基礎事項を理解していない。 |
評価項目3
(到達目標3) | 半導体の基本特性に関する基礎事項を理解し,充分に説明できる。 | 半導体の基本特性に関する基礎事項を理解し,概ね説明できる。 | 半導体の基本特性に関する基礎事項を理解していない。 |
評価項目4
(到達目標4) | 絶縁体の基本特性に関する基礎事項を理解し,充分に説明できる。 | 絶縁体の基本特性に関する基礎事項を理解し,概ね説明できる。 | 絶縁体の基本特性に関する基礎事項を理解していない。 |
評価項目5
(到達目標5) | 磁性体の基本特性に関する基礎事項を理解し,充分に説明できる。 | 磁性体の基本特性に関する基礎事項を理解し,概ね説明できる。 | 磁性体の基本特性に関する基礎事項を理解していない。 |
学科の到達目標項目との関係
学習・教育到達度目標 A-4
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JABEE b
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JABEE d
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JABEE e
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教育方法等
概要:
電磁気現象の基礎および電気・電子材料について物性やその発現機構を学び、これらの観点から電気・電子工学の基礎知識を習得させる。
授業の進め方・方法:
予備知識:4年次までの物理および一般物理を理解しておくこと。
講義室:5C教室
授業形式:講義と演習。なおこの科目は学修単位科目のため,自主学習として課題やレポートを課す。
学生が準備するもの:電卓
注意点:
評価方法:課題提出状況が2/3以上で,かつ,前期中間試験と定期試験(計2回)の平均点が60点以上を合格とする。
自己学習の方針:復習を充分に行い,ノートを整理して理解できなかった点は質問できるよう備える。余裕があればシラバスを確認して予習を行い,疑問点をチェックしておく。なお,自己学習時間1時間以上確保すること。
オフィスアワー:火曜日ならびに木曜日16:00~17:00。これ以外でも可能な範囲で対応。
授業の属性・履修上の区分
授業計画
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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
前期 |
1stQ |
1週 |
シラバスの確認 電気現象の基礎事項の確認 |
電気現象の基礎事項を理解している。
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2週 |
電流,起電力,オームの法則,電磁力 |
電流や起電力,オームの法則等を理解している。
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3週 |
直列・並列回路,キルヒホッフの法則 |
直列・並列回路やキルヒホッフの法則を理解している。
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4週 |
静電容量,コンデンサ,インダクタンス |
静電容量やインダクタンスを理解している。
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5週 |
交流の電流・電圧・電力 |
交流における電流,電圧,電力の取り扱いを理解している。
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6週 |
交流回路の電気抵抗・インダクタンスなど |
抵抗,コンデンサ,コイルが含まれる交流回路を理解している。
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7週 |
これまでのまとめと補足 |
これまでの学習内容を理解している。
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8週 |
前期中間試験 |
これまでの学習内容についての試験問題が理解できる。
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2ndQ |
9週 |
中間試験内容の確認 バンド理論,電気抵抗の温度依存性 |
中間試験内容を理解している。 電子エネルギーに関するバンド理論を理解している。
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10週 |
不純物半導体,p/n接合 |
不純物半導体の種類やp/n接合の一般特性を理解している。
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11週 |
誘電性とその種類, |
絶縁材料の代表的な電気特性を理解している。
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12週 |
コンデンサ |
誘電体のコンデンサへの応用について理解している。
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13週 |
圧電・焦電生とその出現機構および応用 |
圧電体や焦電体の代表的な性質を理解している。
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14週 |
磁性の起源とその種類および応用 |
磁性体の基礎事項を理解している。
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15週 |
これまでのまとめ・確認 |
これまでの学習内容を理解している。
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16週 |
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評価割合
| 試験 | 合計 |
総合評価割合 | 100 | 100 |
基礎的能力 | 0 | 0 |
専門的能力 | 100 | 100 |
分野横断的能力 | 0 | 0 |