到達目標
1.無機材料の概要について理解している。(A4)
2.固体化学の基礎を理解している。(A4)
3.結晶構造の基礎を理解している。(A4)
4.無機材料の代表的な特性を理解している。(A4)
5.無機材料合成のための基礎を理解している。(A4)
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
評価項目1
(到達目標1) | 無機材料の概要について充分に説明できる。 | 無機材料の概要について概ね説明できる。 | 無機材料の概要について説明できない。 |
評価項目2
(到達目標2,3) | 固体化学や結晶構造の基礎について充分に説明できる。 | 固体化学や結晶構造の基礎について概ね説明できる。 | 固体化学や結晶構造の基礎について説明できない。 |
評価項目3
(到達目標4) | 無機材料の代表的な特性について充分に説明できる。 | 無機材料の代表的な特性について概ね説明できる。 | 無機材料の代表的な特性について説明できない。 |
評価項目4
(到達目標5) | 無機材料合成のための基礎について充分に説明できる。 | 無機材料合成のための基礎について概ね説明できる。 | 無機材料合成のための基礎について説明できない。 |
学科の到達目標項目との関係
学習・教育到達度目標 A-4
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JABEE b
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JABEE d-1
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JABEE e
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教育方法等
概要:
3年次までに学習した化学,特に無機化学の内容を基とし,無機材料の代表的な特性や合成・製造方法等を学習し、無機材料を取り扱う上での基礎知識を習得する。
授業の進め方・方法:
予備知識:3年次までに学習した化学,特に無機化学の内容を習得し,原子・分子の構造や性質、および結晶構造に関する基礎知識を有すること。
講義室:4C教室
授業形式:講義と演習。なおこの科目は学修単位科目のため,自主学習として課題やレポートを課す。
学生が準備するもの:電卓
注意点:
評価方法:課題等提出状況が2/3以上で,かつ,中間試験と定期試験(合計2回)の平均点が60点以上を合格とする。
自己学習の指針:復習を充分に行い,ノートを整理して理解できなかった点は質問できるよう備える。余裕があればシラバスを確認し,教科書を元に予習を行い,疑問点をチェックしておく。なお,自己学習時間1時間以上確保すること。
オフィスアワー:火曜日ならびに木曜日16:00~17:00
授業計画
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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
前期 |
1stQ |
1週 |
シラバスの確認、無機材料学の概要 |
無機材料学の概要について理解できる。
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2週 |
電子の量子数と原子の磁性 電子遷移と発光機構 |
電子に関する量子数ならびに原子の磁性現象について理解できる。 電子の遷移状態と発光機構について理解できる。
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3週 |
混成軌道とバンド理論 |
電子の混成軌道やバンド理論について理解できる。
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4週 |
結晶の構造-空間格子,ミラー指数,充填構造 |
結晶構造に関する空間格子やミラー指数および充填構造について理解できる。
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5週 |
結晶の構造-イオン半径比 代表的な結晶構造(1) |
イオン半径比と配位数の関係について理解できる。 代表的な結晶構造について理解できる。
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6週 |
代表的な結晶構造(2)と欠陥 材料化プロセスの基礎 |
代表的な結晶構造や欠陥について理解できる。 基礎的な材料化プロセスについて理解できる。
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7週 |
これまでのまとめ・確認 |
これまでの学習内容が理解できる。
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8週 |
中間試験 |
これまでの学習内容についての試験問題を解くことができる。
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2ndQ |
9週 |
中間試験内容の確認 |
中間試験内容を理解できる。
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10週 |
ニューガラス/ニューカーボン/無機繊維 |
ガラスならびにニューガラス,ニューカーボンおよび無機繊維の基礎について理解できる。
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11週 |
アモルファスシリコン/超伝導材料 |
アモルファスシリコンおよび超伝導材料の基礎について理解できる。
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12週 |
誘電体/固体電解質/磁性材料 |
誘電体,固体電解質および磁性材料の基礎について理解できる。
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13週 |
発光材料/光ファイバー/水素吸蔵合金 |
発光材料,光ファイバーおよび水素吸蔵合金の基礎について理解できる。
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14週 |
材料をつくるための基礎技術 |
高純度化,単結晶化,固体の焼結,アモルファス化,薄膜,超微粒子および多孔質結晶等の合成技術の基礎について理解できる。
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15週 |
これまでのまとめ・確認 |
これまでの学習内容が理解できる。
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16週 |
定期試験 |
これまでの学習内容についての試験問題を解くことができる。
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評価割合
| 試験 | 合計 |
総合評価割合 | 100 | 100 |
基礎的能力 | 0 | 0 |
専門的能力 | 100 | 100 |
分野横断的能力 | 0 | 0 |