| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
評価項目1 | シュレーディンガーの波動方程式を利用し、半導体中の電子状態を解析できる。半導体中のキャリア密度とその挙動が説明できる。 | シュレーディンガーの波動方程式を利用し、半導体中の電子状態をおおよそ解析できる。半導体中のキャリア密度とその挙動がおおよそ説明できる。 | シュレーディンガーの波動方程式を利用し、半導体中の電子状態を解析できない。半導体中のキャリア密度とその挙動が説明できない。 |
評価項目2 | PNダイオードの特性解析ができる。トランジスタの基礎的な特性解析ができる。 | PNダイオードの特性解析がおおよそできる。トランジスタの基礎的な特性解析がおおよそできる。 | PNダイオードの特性解析ができない。トランジスタの基礎的な特性解析ができない。 |
評価項目3 | 簡単な半導体デバイスの設計ができ、その製造方法を説明できる。 | 簡単な半導体デバイスの設計がおおよそでき、その製造方法を説明おおよそできる。 | 簡単な半導体デバイスの設計ができず、その製造方法を説明できない。 |