| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
半導体の基礎 | 元素半導体と化合物半導体、真性半導体と不純物半導体の違いを説明できる。また、不純物添加による伝導型の違いを説明できる。
半導体の移動度、抵抗率の取り扱いができる。
状態密度及びフェルミ分布関数を用いてエネルギーバンド中のキャリア密度分布を説明できる。 | 元素半導体と化合物半導体、真性半導体と不純物半導体の違いを説明できる。また、不純物添加による伝導型の違いを説明できる。
半導体の移動度、抵抗率の取り扱いができる。 | 元素半導体と化合物半導体、真性半導体と不純物半導体の違いを説明できない。また、不純物添加による伝導型の違いを説明できない。
半導体の移動度、抵抗率の取り扱いができない。 |
ダイオードの特性 | pn接合およびショットキー接合ダイオードの動作をエネルギーバンドによって説明でき、電流電圧特性及び静電容量の大きさを計算できる。 | pn接合およびショットキー接合ダイオードの動作をエネルギーバンドによって説明できる。 | pn接合およびショットキー接合ダイオードの動作をエネルギーバンドによって説明できない。 |
バイポーラデバイスの特性 | バイポーラトランジスタの動作原理についてバンド図を用いて説明できる。
電流増幅率を計算できる。
その他のバイポーラデバイス(HBT、サイリスタ)の動作を説明できる。 | バイポーラトランジスタの動作原理についてバンド図を用いて説明できる。 | バイポーラトランジスタの動作原理についてバンド図を用いて説明できない。 |
ユニポーラデバイスの特性 | MOS構造で蓄積、空乏及び反転状態についてバンド図を用いて説明できる。
MOSFETの構造及び動作原理のバイポーラデバイスとの違いを説明できる。
JFET、MESFET及びHEMTそれぞれの構造及び動作を説明できる。 | MOSFETの構造及び動作原理のバイポーラデバイスとの違いを説明できる。
JFET、MESFET及びHEMTそれぞれの構造及び動作を説明できる。 | MOSFETの構造及び動作原理のバイポーラデバイスとの違いを説明できない。
JFET、MESFET及びHEMTそれぞれの構造及び動作を説明できない。 |