| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
半導体デバイスの構造 | pn接合ダイオード、MOS型トランジスタの構造を図示し、エネルギーバンド図を用いて動作を説明できる。 | pn接合ダイオード、MOS型トランジスタの構造を図示し、動作を説明できる。 | pn接合ダイオード、MOS型トランジスタの動作が説明できない。 |
半導体デバイスの基本プロセス技術 | 集積回路の主材料であるシリコン材料の製作方法、ならびに、半導体デバイスを製作するための基本プロセス技術を図を用いて、説明できるとともに、一連のプロセスフローを理解し説明できる。 | 集積回路の主材料であるシリコン材料の製作方法、ならびに、半導体デバイスを製作するための基本プロセス技術を図を用いて、説明できる。 | 集積回路の主材料であるシリコン材料の製作方法、ならびに、半導体デバイスを製作するための基本プロセス技術が説明できない。 |
半導体デバイスの複合プロセス技術 | 基本プロセス技術、複合プロセス技術を図示して説明できるとともに、これらを用いて、pn接合ダイオード、MOS型トランジスタを製作するためのプロセスフローを設計できる。 | 半導体デバイスを製作するための複合プロセス技術を図を用いて説明できる。 | 半導体デバイスを製作するための複合プロセス技術が説明できない。 |
半導体デバイスの信頼性 | 製品の信頼性、故障率などの定義を説明できるとともに、現在の半導体デバイスにおける課題、その打開策について説明できる。 | 製品の信頼性、故障率などの定義を説明できるとともに、現在の半導体デバイスにおける課題を説明できる。 | 製品の信頼性、故障率などの定義を説明できるとともに、現在の半導体デバイスにおける課題が説明できない。 |