到達目標
１．半導体の定義や基礎特性を理解し，説明することができる。
２．半導体素子の種類や利用について理解し，説明することができる。
３．半導体の製造に関する装置および方法を理解し，説明することができる。
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
| 半導体の定義や基礎特性を理解し、説明することができる。 | 半導体の定義や基礎特性を理解し、説明することができる。 | 半導体の定義を理解し、説明することができる。 | 半導体の定義や基礎特性を理解し、説明することができない。 |
| 半導体素子の種類や利用について理解し、説明することができる。 | 半導体素子の種類や利用について理解し、説明することができる。 | 半導体素子の種類について理解し、説明することができる。 | 半導体素子の種類や利用について理解し、説明することができない。 |
| 半導体の製造に関する装置及び方法を理解し、説明することができる。 | 半導体の製造に関する装置及び方法を理解し、説明することができる。 | 半導体の製造に関する装置を理解し、説明することができる。 | 半導体の製造に関する装置及び方法を理解し、説明することができない。 |
学科の到達目標項目との関係
教育方法等
概要:
半導体は私たちの生活に不可欠であり重要な役割を果たしている。本講義では、半導体の基礎から応用例，製造方法までを総合的に学習する。
※実務との関係 この科目は企業の研究員として半導体プロセスの研究を担当していた教員が、その経験を活かし、講義形式で授業を行うものである。
この科目は、４年生または５年生で履修可能である。
授業の進め方・方法:
予備知識：一般的な物理，化学に関する知識
授業形式：オンデマンド方式。教員および外部講師による実践的な講義をオムニバス形式で実施する
注意点:
評価方法：講義内容に沿った質問に対する回答による評価を行い６０点以上を合格とします。
自己学習の指針：各講義で気になったことなどは各自で授業配布資料や図書館の書籍等を活用して復習・予習してください。
３０時間の授業＋１５時間の自学自習をもって１単位とします。
授業の属性・履修上の区分
授業計画
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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
| 後期 |
| 3rdQ |
| 1週 |
ガイダンス |
半導体を学ぶ意義について理解する。
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| 2週 |
半導体の歴史 |
これまでの半導体の歴史について理解する。
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| 3週 |
半導体の基礎物性 |
半導体の定義を理解する。
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| 4週 |
半導体製造技術１：前工程 |
半導体製造工程における前工程について理解する。
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| 5週 |
半導体製造技術２：後工程 |
半導体製造工程における後工程について理解する。
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| 6週 |
半導体製造技術３：ウェーハ製造 |
半導体ウェーハの製造方法について理解する。
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| 7週 |
半導体製造技術４：真空プロセス |
半導体製造工程で広く用いられる真空プロセスについて理解する。
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| 8週 |
半導体製造技術５：ウェーハ加工プロセス |
三次元実装技術の要素技術である、ウェーハ加工技術について理解する。
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| 4thQ |
| 9週 |
半導体製造技術６：半導体の実用例１：実装技術 |
半導体実装技術について理解する。
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| 10週 |
半導体の実用例２：ディスクリートデバイス（ダイオードとバイポーラトランジスタ） |
ディスクリート半導体の基礎及び応用について理解する。
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| 11週 |
半導体の実用例３：ミックスドシグナルデバイス（電界効果トランジスタ） |
ミックスドシグナルデバイスの基礎及び応用について理解する。
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| 12週 |
半導体の実用例４：集積回路 |
集積回路の基礎及び応用について理解する。
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| 13週 |
半導体の実用例５：光学素子（レーザー半導体など） |
光学素子の基礎及び応用について理解する。
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| 14週 |
半導体の実用例６：パワー半導体（パワーエレクトロニクス） |
パワー半導体の基礎及び応用について理解する。
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| 15週 |
半導体の実用例７：センサー類（ＣＭＯＳセンサー） |
半導体センサーの基礎及び応用について理解する。
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| 16週 |
答案返却 |
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モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標
| 分類 | 分野 | 学習内容 | 学習内容の到達目標 | 到達レベル | 授業週 |
評価割合
| 小テストなど | 合計 |
| 総合評価割合 | 90 | 90 |
| 基礎的能力 | 20 | 20 |
| 専門的能力 | 50 | 50 |
| 分野横断的能力 | 20 | 20 |