| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
金属,半導体,絶縁体の違いを説明出来る. | 金属,半導体,絶縁体の違いを説明でき,金属におけるキャリアの発生機構の説明とキャリア密度や移動度の計算が出来る. | 金属,半導体,絶縁体の違いを説明でき,金属におけるキャリアの発生機構の説明が出来る. | 金属,半導体,絶縁体の違いを説明できず,金属におけるキャリアの発生機構の説明やキャリア密度の計算も出来ない. |
半導体中のバンド構造を説明出来る. | 半導体におけるバンド構造の概略が説明でき,半導体におけるキャリアの発生機構の説明とキャリア密度の計算が出来る. | 半導体におけるバンド構造の概略が説明でき,半導体におけるキャリアの発生機構の説明が出来る. | 半導体におけるバンド構造の概略が説明できず,半導体におけるキャリアの発生機構の説明も出来ない. |
半導体中のキャリアの伝導機構を説明出来る. | 半導体におけるキャリアの伝導機構であるドリフトと拡散機構を説明でき,導電率やホール係数を用いて,キャリア密度や移動度を計算により求めることが出来る. | 半導体におけるキャリアの伝導機構であるドリフトと拡散機構を説明でき,導電率やホール係数を求めることが出来る. | 半導体におけるキャリアの伝導機構であるドリフトと拡散機構を説明出来ず,導電率やホール係数を求めることも出来ない. |
pn接合による整流作用とダイオードの特性を説明出来る.
| pn接合のバンド図とキャリアの伝導機構を説明でき,内蔵電位や電流密度を計算により求めることが出来る.
| pn接合のバンド図とキャリアの伝導機構を説明でき,内蔵電位や電流密度の意味を理解している.
| pn接合のバンド図とキャリアの伝導機構を説明出来ず,内蔵電位や電流密度を求めることも出来ない.
|
バイポーラトランジスタの動作原理を説明出来る
| バイポーラトランジスタの動作原理,バイアス電圧のかけ方を説明でき,計算方法を駆使して簡単なトランジスタの設計が出来る.
| バイポーラトランジスタの動作原理,バイアス電圧のかけ方を説明でき,増幅率の計算が出来る.
| バイポーラトランジスタの動作原理,バイアス電圧のかけ方の説明が出来ず,増幅率の計算も出来ない.
|