| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
評価項目1 | 価電子について理解し、希ガス構造やイオンの生成の説明と、その安定性を予測できる。 | 価電子について理解し、希ガス構造やイオンの生成について説明できる。 | 価電子について理解し、希ガス構造やイオンの生成について説明できない。 |
評価項目2 | 元素の周期律を理解し、典型元素や遷移元素の一般的な性質を、電子配置を踏まえて説明できる。 | 元素の周期律を理解し、典型元素や遷移元素の一般的な性質を説明できる。 | 元素の周期律を理解し、典型元素や遷移元素の一般的な性質を説明できない。 |
評価項目3 | 元素の周期表との関係を踏まえて、イオン化エネルギー、電子親和力、電気陰性度について説明できる。 | イオン化エネルギー、電子親和力、電気陰性度について説明できる。 | イオン化エネルギー、電子親和力、電気陰性度について説明できない。 |
評価項目4 | 結晶の充填構造・充填率・イオン半径比など基本的な計算と結晶構造と原子量から密度を計算できる。 | 結晶の充填構造・充填率・イオン半径比など基本的な計算ができる。 | 結晶の充填構造・充填率・イオン半径比など基本的な計算ができない。 |
評価項目5 | 基本的な化学結合の表し方として、電子配置をルイス構造で示し、イオン結合と共有結合、金属結合の形成について説明と構造の予測ができる。 | 基本的な化学結合の表し方として、電子配置をルイス構造で示し、イオン結合と共有結合、金属結合の形成について説明できる。 | 基本的な化学結合の表し方として、電子配置をルイス構造で示し、イオン結合と共有結合、金属結合の形成について説明できない。 |
評価項目6 | 元素の周期表を踏まえて、代表的な元素の単体と化合物の性質を説明できる。 | 代表的な元素の単体と化合物の性質を説明できる。 | 代表的な元素の単体と化合物の性質を説明できない。 |
評価項目7 | 配位結合の形成、および、錯体化学で使用される用語(中心原子、配位子、キレート、配位数など)、錯体の命名法の基本、配位数と構造について説明に加えて、命名法に基づき錯体の命名ができる。 | 配位結合の形成、および、錯体化学で使用される用語(中心原子、配位子、キレート、配位数など)、錯体の命名法の基本、配位数と構造について説明できる。 | 配位結合の形成、および、錯体化学で使用される用語(中心原子、配位子、キレート、配位数など)、錯体の命名法の基本、配位数と構造について説明できない。 |
評価項目8 | いくつかの代表的な陽イオンや陰イオンの定性分析のための化学反応の説明とその反応を組み合わせた各イオンの分離方法を説明できる。 | いくつかの代表的な陽イオンや陰イオンの定性分析のための化学反応について説明できる。 | いくつかの代表的な陽イオンや陰イオンの定性分析のための化学反応について説明できない。 |