到達目標
1. 電子や正孔の振る舞いを説明できる。
2. 各種電子素子の構造を理解し、動作原理を説明できる。
3. 半導体製造プロセスについて説明できる。
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
評価項目1 | これまでに発明されたデバイスの特徴を理解したうえで半導体の歴史を説明できる。 | 半導体の歴史を説明できる。 | 半導体の歴史を説明できない。 |
評価項目2 | 基本的な電子素子の構造を理解し、バンド図を用いて動作原理を説明できる。 | 基本的な電子素子の構造を理解し、動作原理を説明できる。 | 基本的な電子素子の構造や動作原理を説明できない |
評価項目3 | 半導体製造プロセスについて理解し、一つ一つの工程を説明できる。 | 半導体製造プロセスについて説明できる。 | 半導体製造プロセスについて説明できない。 |
学科の到達目標項目との関係
学習・教育到達度目標 3-2
説明
閉じる
学習・教育到達度目標 6-1
説明
閉じる
学習・教育到達度目標 6-2
説明
閉じる
教育方法等
概要:
ダイオードやトランジスタといった電子素子は、携帯電話やTV、パソコンなど、我々の身の回りにある電化製品の中では必ず使用されている。本講義では、これらの電子素子の構造とその動作原理を学習するとともに、どのような工程で生産されているかを学習する。
授業の進め方・方法:
・スライドを用いた講義形式で授業を実施する。
・教科書は特に定めないが、授業事に資料を配布する。
・電子素子の動作確認の実験を実施することがある。
注意点:
〇自学について
(事前学習)
授業計画の授業内容および到達目標を確認の上、予習をしておくこと。
授業資料は前日までにWebClassにアップロードします。事前に目を通しておくこと
(事後学習)
配布された授業資料の振り返りを行い理解を深めること。
授業中に解説した演習問題は必ず自身で解いてみること。わからない部分があれば放置せず質問してください。
授業中に課された課題については、余裕をもって取り組むこと。
授業の属性・履修上の区分
授業計画
|
|
週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
前期 |
1stQ |
1週 |
ガイダンス |
本科目の学習目的を説明できる
|
2週 |
半導体の歴史 |
半導体を利用した電子素子開発の歴史を説明できる。
|
3週 |
導体と半導体 |
導体と半導体の違いを説明できる。
|
4週 |
半導体中の電子と正孔の振る舞い |
半導体中の電子と正孔の違いを説明できる
|
5週 |
ダイオード |
各種ダイオードの特性を説明できる。
|
6週 |
バイポーラトランジスタ |
バイポーラトランジスタの構造・動作原理と直流バイアス回路について説明できる。
|
7週 |
MOSFET |
MOSFETの構造と動作原理について説明できる。
|
8週 |
中間試験 |
|
2ndQ |
9週 |
電子工作 |
半導体電子素子を使った回路を製作することができる。
|
10週 |
半導体プロセスの概要 |
半導体プロセスの概要を説明できる。
|
11週 |
単結晶と多結晶 |
電子素子の材料となる単結晶と多結晶について説明できる。
|
12週 |
リソグラフィ技術 |
リソグラフィ技術について説明できる。
|
13週 |
成膜技術と不純物ドーピング |
各種成膜技術と不純物ドーピングにういて説明できる。
|
14週 |
集積回路のレイアウト設計 |
集積回路のレイアウトのルールを理解し、基本的なレイアウト設計ができる。
|
15週 |
前期定期試験 |
|
16週 |
答案返却と解説,まとめ |
|
モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標
分類 | 分野 | 学習内容 | 学習内容の到達目標 | 到達レベル | 授業週 |
評価割合
| 試験 | 課題 | 合計 |
総合評価割合 | 100 | 0 | 100 |
基礎的能力 | 0 | 0 | 0 |
専門的能力 | 100 | 0 | 100 |
分野横断的能力 | 0 | 0 | 0 |