到達目標
1. 半導体の性質を理解し、導体や絶縁体との違いを説明できる。
2. 各種電子素子の構造を理解し、動作原理を説明できる。
3. 半導体製造プロセスについて説明できる。
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
評価項目1 | 半導体の導体と絶縁体との違いをバンド図を用いて説明できる。 | 半導体の導体と絶縁体との違いを説明できる。 | 半導体の導体と絶縁体との違いを説明できない。 |
評価項目2 | 基本的なpn接合の構造を理解し、バンド図を用いて動作原理を説明できる。 | 基本的なpn接合の構造を理解し、動作原理を説明できる。 | 基本的なpn接合の構造や動作原理を説明できない |
評価項目3 | 半導体製造プロセスについて理解し、一つ一つの工程を説明できる。 | 半導体製造プロセスについて説明できる。 | 半導体製造プロセスについて説明できない。 |
学科の到達目標項目との関係
教育方法等
概要:
ダイオードやトランジスタといった電子素子は、携帯電話やTV、パソコンなど、我々の身の回りにある電化製品の中では必ず使用されている。本講義では、これらの電子素子の構造とその動作原理を学習するとともに、どのような工程で生産されているかを学習する。
授業の進め方・方法:
・スライドを用いた講義形式で授業を実施する。
・教科書は特に定めないが、授業事に資料を配布する。
・電子素子の動作確認の実験を実施することがある。
注意点:
・評価は2回の定期試験の平均点で評価する。
授業計画
|
|
週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
後期 |
3rdQ |
1週 |
ガイダンス |
|
2週 |
電子素子の歴史 |
電子素子が開発された歴史を理解する
|
3週 |
導体と半導体 |
導体と半導体の違いを理解する
|
4週 |
真性半導体と不純物半導体 |
真性半導体と不純物半導体について理解する
|
5週 |
ダイオード |
各種ダイオードの特性を理解する
|
6週 |
バイポーラトランジスタ |
バイポーラトランジスタの構造・動作原理と直流バイアス回路について理解する
|
7週 |
MOSFET |
MOSFETの構造と動作原理について理解する
|
8週 |
中間試験 |
|
4thQ |
9週 |
電子工作 |
実際に電子素子を用いた回路を作成し、電子素子に対する理解を深める
|
10週 |
半導体プロセスの概要 |
半導体プロセスの概要を理解する
|
11週 |
単結晶と多結晶 |
電子素子の材料となる単結晶と多結晶について理解する
|
12週 |
リソグラフィ技術 |
リソグラフィ技術について理解する
|
13週 |
成膜技術 |
各種成膜技術について理解する
|
14週 |
不純物ドーピング |
不純物ドーピングとアニールについて理解する
|
15週 |
後工程 |
ダイシングやボンディングなどの後工程について理解する
|
16週 |
定期試験 |
|
モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標
分類 | 分野 | 学習内容 | 学習内容の到達目標 | 到達レベル | 授業週 |
評価割合
| 試験 | 発表 | 相互評価 | 合計 |
総合評価割合 | 100 | 0 | 0 | 100 |
基礎的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 |
専門的能力 | 100 | 0 | 0 | 100 |
分野横断的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 |