| 理想的な到達レベルの目安(優) A
A | 標準的な到達レベルの目安(良) B
B | 最低到達レベルの目安(可) C | 未到達レベルの目安(不可) D | (学生記入欄)
到達したレベルに〇をすること。 |
評価項目1 | エネルギー準位図について理解し、金属、半導体、絶縁体をエネルギー準位図から説明できる。また、p型とn型の半導体をエネルギー準位図を用いて説明でき、フェルミエネルギーについて説明できる。 | エネルギー準位図について理解し、金属、半導体、絶縁体をエネルギー準位図から説明できる。また、p型とn型の半導体をエネルギー準位図を用いて説明できる。 | エネルギー準位図について理解し、金属、半導体、絶縁体をエネルギー準位図から説明できる。 | エネルギー準位図について理解できず、金属、半導体、絶縁体をエネルギー準位図から説明できない。 | A ・ B ・ C ・ D |
評価項目2 | 真性半導体・外因性半導体中のキャリア密度について状態密度、占有確率、フェルミ準位との関係から定量的に説明できる。また、半導体中のキャリアとフォノンの性質を定量的に説明できる。 | 真性半導体・外因性半導体中のキャリア密度について状態密度、占有確率、フェルミ準位との関係から説明できる。また、半導体中のキャリアとフォノンの性質を説明できる。 | 半導体中のキャリア密度について状態密度、占有確率、フェルミ準位との関係から説明できる。また、半導体中のキャリアとフォノンの性質を説明できる。 | 半導体中のキャリア密度について状態密度、占有確率、フェルミ準位との関係から説明できない。また、半導体中のキャリアとフォノンの性質を説明できない。 | A ・ B ・ C ・ D |
評価項目3 | pn接合のエネルギー準位図と電流-電圧特性、接合容量について、定量的に説明できる。 | pn接合のエネルギー準位図と電流-電圧特性、接合容量について説明できる。 | pn接合のエネルギー準位図と電流-電圧特性について説明できる。 | pn接合のエネルギー準位図と電流-電圧特性について説明できない。 | A ・ B ・ C ・ D |
評価項目4 | 金属と半導体の接触及びヘテロ接合について、界面準位を考慮したエネルギー準位図から説明できる。 | 金属と半導体の接触及びヘテロ接合について、エネルギー準位図から説明できる。 | 金属と半導体の接触もしくはヘテロ接合について、エネルギー準位図から説明できる。 | 金属と半導体の接触もしくはヘテロ接合について、エネルギー準位図から説明できない。 | A ・ B ・ C ・ D |
評価項目5 | 各種トランジスタの構造および動作原理、電流増幅率について説明できる。 | トランジスタの構造および動作原理、電流増幅率について説明できる。 | トランジスタの構造および動作原理について説明できる。 | トランジスタの構造および動作原理について説明できない。 | A ・ B ・ C ・ D |