| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
評価項目1 | 標準的な到達レベルに加えて、以下のことができる.
1)ダイヤモンド構造と共有結合を説明できる.
2)帯構造(伝導帯、価電子帯、禁止帯)から各半導体のキャリア生成過程を説明できる. | 半導体の種類(i形、n形、p形)と不純物、多数キャリアと少数キャリア、主な半導体材料を説明できる. | 半半導体の種類(i形、n形、p形)と不純物、多数キャリアと少数キャリア、主な半導体材料を説明できない. |
評価項目2 | 標準的な到達レベルに加えて、以下のことができる.
1)pn接合の整流作用を説明できる.
2)トランジスタの接地方式とその特徴を説明できる.
3)MOS構造のチャネルと反転層生成を説明できる.
| ダイオードやトランジスタおよびFETの構造,種類、電極名、電圧-電流特性、主な作用を説明できる. | ダイオードやトランジスタおよびFETの構造,種類、電極名、電圧-電流特性、主な作用を説明できない. |
評価項目3 | | ダイオード,トランジスタおよびFET回路の特性曲線に直流負荷線を引き、動作点を求めることができる. | ダイオード,トランジスタおよびFET回路の特性曲線に直流負荷線を引き、動作点を求めることができない. |
評価項目4 | 標準的な到達レベルに加えて、以下のことができる.
1)バイアス回路の種類と特徴を説明できる.
2)バイアス回路の簡単な設計ができる. | トランジスタ増幅回路をバイアス回路と交流回路に分けて考え、増幅のしくみを説明できる. | トランジスタ増幅回路をバイアス回路と交流回路に分けて考え、増幅のしくみを説明できない. |
評価項目5 | 標準的な到達レベルに加えて、以下のことができる.
1)多段増幅回路の総合増幅度を計算できる.
2)増幅回路の周波数特性に及ぼすカプリングコンデンサの影響を説明できる. | トランジスタの等価回路とhパラメータを用いて,増幅度(利得)やインピーダンスを求めることができる. | トランジスタの等価回路とhパラメータを用いて,増幅度(利得)やインピーダンスを求めることができない. |
評価項目6 | | 負帰還増幅回路と演算増幅器の特徴、および基本的な動作を説明できる. | 負帰還増幅回路と演算増幅器の特徴、および基本的な動作を説明できない. |