| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
評価項目1 | 電子の性質に関して,エネルギーを波長や温度等に換算できる. | 電子の性質に関する各種物理量やエレクトロンボルトの定義等を説明できる. | 電子の性質に関する各種物理量やエレクトロンボルトの定義等を説明できない. |
評価項目2 | ボーアモデルを理解し,原子構造における量子的なエネルギーや軌道半径等を求めることができる. | パウリの排他律 及び 4つの量子数を理解し,原子の電子配置を説明できる. | 原子の電子配置を説明できない. |
評価項目3 | フェルミ・ディラック分布と状態密度に基づいて,半導体のキャリア密度等を算出することができる. | 結晶やエネルギーバンドの形成を説明できる. | 結晶やエネルギーバンドの形成を説明できない. |
評価項目4 | 少数キャリア注入時におけるキャリアの振舞(少数キャリア連続の式)について理解し,注入キャリアの平均寿命や拡散距離等を算出できる. | 真性半導体と不純物半導体をエネルギーバンド図で説明でき,移動度やドリフト速度等を算出できる. | 真性半導体と不純物半導体をエネルギーバンド図で説明できず,移動度等についても算出できない. |
評価項目5 | pn接合ダイオードにおける内蔵電界の形成過程を理解し,拡散電位を算出できる. | pn接合ダイオード(バイアスなし時)をエネルギーバンド図で説明できる. | pn接合ダイオードをエネルギーバンド図で説明できない. |