到達目標
トランジスタ・FET・OPアンプの動作・特性を知り,これらを用いた増幅回路・OPアンプ回路の構成と諸特性,直流電源回路を中心としたアナログ回路およびデジタル回路の基礎について理解し,説明できることを目標とする
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
1. 半導体とトランジスタについて構成、動作を説明できる | 半導体の種類,キャリアの働き,構成を説明できる。記号・端子名,電流の流れと特性を説明できる。 | 半導体の種類,キャリアの働き,構成、記号・端子名,電流の流れの概要を説明できる | 半導体の種類,キャリアの働きを説明できない。 |
2. トランジスタの静特性,基本回路を説明できる | トランジスタの基本回路,静特性を相互の関係を含めて説明できる | トランジスタの基本回路,静特性を説明できる | トランジスタの各接地回路の区別ができない。 |
3. hパラメータとトランジスタ等価回路について説明できる | hパラメータの定義と関係式,トランジスタの等価回路,動作量を説明でき,それらを応用して問題を解くことができる | hパラメータの定義と関係式,トランジスタの等価回路,動作量を説明できる | hパラメータについて概要を説明できない。またトランジスタの等価回路を描くことができない |
4. トランジスタのバイアス回路について説明できる | 各種電圧増幅回路について動作を把握し,特性を説明できる。それらを応用して問題を解くことができる | 各種電圧増幅回路について動作を把握し,その特性を説明できる | バイアス回路について説明できない |
5. FETについて説明できる | 各種電圧増幅回路について説明でき,その知識を応用して問題を解くことができる | 電界効果トランジスタの種類と構造,動作について説明できる。 | 電界効果トランジスタの種類と構造,動作について説明できない |
学科の到達目標項目との関係
本科(準学士課程)の学習・教育到達目標 3-c
説明
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教育方法等
概要:
ダイオード・トランジスタ・FETの動作・特性を知り,これらを用いた増幅回路を中心としたアナログ回路の基礎について理解する
授業の進め方・方法:
教科書及びプリントに沿って授業をすすめる。実際の電子部品なども見せ、実際に使われている電子回路が身近にあることを理解する。
注意点:
いろいろな電子回路や電気通信・デジタル回路を理解するため、分からない点は図書館などで調査,あるいは質問してそのままにしておかないこと。
講義の内容をよく理解するために,毎回,予習や演習問題等の課題を含む復習をすること。
授業の属性・履修上の区分
授業計画
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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
前期 |
1stQ |
1週 |
半導体 |
半導体の種類を説明できる
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2週 |
半導体とダイオード |
ダイオードのキャリアの働き,構成を説明できる
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3週 |
ダイオードの動作とバイアス |
ダイオードの回路、動作を説明できる
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4週 |
トランジスタ |
トランジスタの記号・端子名を説明できる
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5週 |
トランジスタの基本回路と静特性 |
トランジスタの動作、電流の流れと静特性を説明できる
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6週 |
hパラメータと定義 |
hパラメータの定義と関係式を説明できる
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7週 |
hパラメータとトランジスタ等価回路 |
hパラメータを用いた等価回路を説明できる
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8週 |
中間試験 |
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2ndQ |
9週 |
トランジスタのバイアス回路の計算 |
トランジスタのバイアス回路の特徴とその計算ができる
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10週 |
直流等価回路と交流等価回路 |
直流等価回路と交流等価回路を説明できる
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11週 |
エミッタ接地増幅回路、コレクタ接地増幅回路、ベース接地増福回路 |
各接地増幅回路について動作を把握し,その特性を説明できる
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12週 |
各種増幅回路 |
各種電圧増幅回路について動作を把握し,その特性を説明できる
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13週 |
FETの基本 |
電界効果トランジスタの種類と構造について説明できる
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14週 |
FETの動作 |
電界効果トランジスタの動作について説明できる
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15週 |
試験答案の返却と解説 |
半導体について動作を把握し,その特性を説明できる
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16週 |
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評価割合
| 定期試験および受講内容(課題・小試験) | そのほか | 合計 |
総合評価割合 | 95 | 5 | 100 |
基礎的能力 | 0 | 5 | 5 |
専門的能力 | 95 | 0 | 95 |
分野横断的能力 | 0 | 0 | 0 |