| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
評価項目1 | 標準的な到達レベルに加えて、以下のことができる.
1)帯構造を用いて導体、絶縁体、半導体の電気伝導度の違いを説明できる.
2)真性キャリア密度を計算できる. | 半導体の性質、主な材料、i形・n形・p形の添加不純物、多数キャリアと少数キャリアを説明できる. | 半導体の性質、主な材料、i形・n形・p形の添加不純物、多数キャリアと少数キャリアを説明できない. |
評価項目2 | 標準的な到達レベルに加えて、以下のことができる.
1)バイポーラトランジスタと電界効果トランジスタの特徴の比較ができる. | ダイオードとバイポーラトランジスタの構造、電圧-電流特性、主な作用を説明できる. | ダイオードとバイポーラトランジスタの構造、電圧-電流特性、主な作用を説明できない. |
評価項目3 | 標準的な到達レベルに加えて、以下のことができる.
1)閾値電圧を計算できる.
2)CMOSを用いたNAND回路とNOR回路の動作を説明できる. | JFETとMOSFETおよびCMOSの構造、電圧-電流特性、反転層の生成を説明できる. | JFETとMOSFETおよびCMOSの構造、電圧-電流特性、反転層の生成を説明できない. |
評価項目4 | | 集積回路(IC)の生まれた背景、利点、分類、各ICの構造や特徴を説明できる. | 集積回路(IC)の生まれた背景、利点、分類、各ICの構造や特徴を説明できない. |
評価項目5 | 標準的な到達レベルに加えて、以下のことができる.
1)珪石から単結晶シリコンができるまでの主な化学反応式を説明できる. | 金属シリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコンなどのSiウェハの作製工程を説明できる. | 金属シリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコンなどのSiウェハの作製工程を説明できない. |
評価項目6 | | 酸化膜生成工程、ホトリソグラフィ工程、エッチング工程、熱拡散工程、イオン打ち込み工程、素子分離工程、金属薄膜作製工程などの前工程(ウェハ工程)を説明できる. | 酸化膜生成工程、ホトリソグラフィ工程、エッチング工程、熱拡散工程、イオン打ち込み工程、素子分離工程、金属薄膜作製工程などの前工程(ウェハ工程)を説明できない. |