到達目標
・ 各種ダイオードの特性を説明できる.
・ トランジスタの特徴,各種接地方式の特徴を説明できる.
・ トランジスタによるスイッチング回路が設計できる.
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
評価項目1 | 各種ダイオードの特徴が説明できて,適切なダイオードの選定ができる. | 各種ダイオードの説明ができる. | ダイオードの特徴が把握できてい ない. |
評価項目2 | トランジスタの特徴,各種接地方 式の特徴を説明できる. | トランジスタの特徴を説明できる . | トランジスタの特徴が把握できて いない. |
評価項目3 | トランジスタによるスイッチング 回路の設計ができる. | トランジスタによるスイッチング 回路の構成が理解できる. | トランジスタをスイッチング素子として扱うことができない. |
学科の到達目標項目との関係
準学士課程(R5までのDP) R5までDP_4 制御・電気電子・機械・情報等基礎工学の知識習得・応用
JABEE B-2 専門分野の知識と能力
教育方法等
概要:
ダイオード,トランジスタを使った電子回路について学習をおこなう.
授業の進め方・方法:
座学が中心となるが,現象の理解を深めるために適宜シミュレーション結果の提示や実際にシミュレーションをおこな ってもらうことがある.
注意点:
回路パラメータが変化すると,特性にどんな影響があるのか把握するために,シミュレータを有効活用して欲しい.さ らに時間的余裕があれば,自ら回路製作をおこなって,理論-シミュレーション-実機それぞれの差異について検討をおこ なって欲しい.
学修単位科目であるため,事前・事後学習として,講義内容に適したテキストを事前配布するとともにレポート課題を実施する.
授業の属性・履修上の区分
授業計画
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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
後期 |
3rdQ |
1週 |
ガイダンスおよび必要な知識の確認 |
講義の目標や進め方,必要な知識,評価方法について説明 する
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2週 |
ダイオードの特徴 |
ダイオードの特徴を説明できる
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3週 |
フォトカプラ回路 |
フォトカプラ回路の設計ができる
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4週 |
トランジスタの各種接地方式 |
各種接地方式の特徴を説明できる
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5週 |
バイアス回路とエミッタ接地回路01 |
バイアス回路について説明できて,エミッタ接地回路の入出力特性を計算できる
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6週 |
エミッタ接地回路02 |
エミッタ接地回路の設計ができる
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7週 |
まとめ |
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8週 |
中間試験 |
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4thQ |
9週 |
試験解説 |
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10週 |
エミッタフォロワ回路01 |
エミッタフォロワ回路の入出力特性を計算できる
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11週 |
エミッタフォロワ回路02/直接結合回路 |
エミッタフォロワ回路の設計ができて,直接結合回路の入出力特性を計算できる
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12週 |
負帰還増幅回路01 |
トランジスタによる負帰還増幅回路の種類と特性を説明できる.
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13週 |
負帰還増幅回路02 |
負帰還増幅回路の設計ができる
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14週 |
まとめ |
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15週 |
定期試験 |
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16週 |
試験解説 |
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モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標
分類 | 分野 | 学習内容 | 学習内容の到達目標 | 到達レベル | 授業週 |
専門的能力 | 分野別の専門工学 | 電気・電子系分野 | 電子回路 | ダイオードの特徴を説明できる。 | 4 | |
バイポーラトランジスタの特徴と等価回路を説明できる。 | 4 | |
利得、周波数帯域、入力・出力インピーダンス等の増幅回路の基礎事項を説明できる。 | 4 | |
トランジスタ増幅器のバイアス供給方法を説明できる。 | 4 | |
評価割合
| 試験 | 発表 | 相互評価 | 態度 | 演習 | その他 | 合計 |
総合評価割合 | 80 | 0 | 0 | 0 | 20 | 0 | 100 |
基礎的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
専門的能力 | 80 | 0 | 0 | 0 | 20 | 0 | 100 |
分野横断的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |