到達目標
・ 各種ダイオードの特性を説明できる．
・ トランジスタの特徴，各種接地方式の特徴を説明できる．
・ トランジスタによるスイッチング回路が設計できる．
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
| 評価項目1 | 各種ダイオードの特徴が説明できて，適切なダイオードの選定ができる． | 各種ダイオードの説明ができる． | ダイオードの特徴が把握できてい ない． |
| 評価項目2 | トランジスタの特徴，各種接地方 式の特徴を説明できる． | トランジスタの特徴を説明できる ． | トランジスタの特徴が把握できて いない． |
| 評価項目3 | トランジスタによるスイッチング 回路の設計ができる． | トランジスタによるスイッチング 回路の構成が理解できる． | トランジスタをスイッチング素子として扱うことができない． |
学科の到達目標項目との関係
準学士課程 2(2)
説明
閉じる
JABEE B-2
説明
閉じる
教育方法等
概要:
ダイオード，トランジスタを使った電子回路について学習をおこなう．
授業の進め方・方法:
座学が中心となるが，現象の理解を深めるために適宜シミュレーション結果の提示や実際にシミュレーションをおこな ってもらうことがある．
注意点:
回路パラメータが変化すると，特性にどんな影響があるのか把握するために，シミュレータを有効活用して欲しい．さ らに時間的余裕があれば，自ら回路製作をおこなって，理論-シミュレーション-実機それぞれの差異について検討をおこ なって欲しい．
学修単位科目であるため，事前・事後学習として，講義内容に適したテキストを事前配布するとともにレポート課題を実施する．
授業の属性・履修上の区分
授業計画
|
|
週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
| 後期 |
| 3rdQ |
| 1週 |
ガイダンスおよび必要な知識の確認 |
講義の目標や進め方，必要な知識，評価方法について説明 する
|
| 2週 |
ダイオードの特徴 |
ダイオードの特徴を説明できる
|
| 3週 |
フォトカプラ回路 |
フォトカプラ回路の設計ができる
|
| 4週 |
トランジスタの各種接地方式 |
各種接地方式の特徴を説明できる
|
| 5週 |
バイアス回路とエミッタ接地回路01 |
バイアス回路について説明できて，エミッタ接地回路の入出力特性を計算できる
|
| 6週 |
エミッタ接地回路02 |
エミッタ接地回路の設計ができる
|
| 7週 |
まとめ |
|
| 8週 |
中間試験 |
|
| 4thQ |
| 9週 |
試験解説 |
|
| 10週 |
エミッタフォロワ回路01 |
エミッタフォロワ回路の入出力特性を計算できる
|
| 11週 |
エミッタフォロワ回路02/直接結合回路 |
エミッタフォロワ回路の設計ができて，直接結合回路の入出力特性を計算できる
|
| 12週 |
負帰還増幅回路01 |
トランジスタによる負帰還増幅回路の種類と特性を説明できる．
|
| 13週 |
負帰還増幅回路02 |
負帰還増幅回路の設計ができる
|
| 14週 |
まとめ |
|
| 15週 |
定期試験 |
|
| 16週 |
試験解説 |
|
評価割合
| 試験 | 発表 | 相互評価 | 態度 | 演習 | その他 | 合計 |
| 総合評価割合 | 80 | 0 | 0 | 0 | 20 | 0 | 100 |
| 基礎的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| 専門的能力 | 80 | 0 | 0 | 0 | 20 | 0 | 100 |
| 分野横断的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |