| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 最低限の到達レベルの目安(可) | 未到達レベルの目安 |
評価項目1 | 核分裂の反応式および計算が十分できる。 | 核分裂の反応式および計算ができる。 | 核分裂の反応式の基本はし理解かつ計算ができる。 | 核分裂の反応式の理解および計算が不十分である。 |
評価項目2 | HSAB理論を例を挙げて説明できる。 | HSAB理論を簡単に説できる。 | HSAB理論の説明が不十分である。 | HSAB理論の説明ができない。 |
評価項目3 | 錯体の発色原理と分裂エネルギーを説明できる。 | 錯体の発色原理と分裂エネルギーをほぼ説明できる。 | 錯体の発色原理と分裂エネルギーを十分に説明できない場合がある。 | 錯体の発色原理と分裂エネルギーを十分に説明できない。 |
評価項目4 | 半導体の性質、バンド理論、点欠陥が説明できる。 | 半導体の性質、バンド理論、点欠陥がほぼ説明できる。 | 半導体の性質、バンド理論、点欠陥について説明が不十分である。 | 半導体の性質、バンド理論、点欠陥を説明できない。 |
評価項目5 | 欠陥方程式を理解し、使用することができる。 | 欠陥方程式を理解し、代表的な例で使用することができる。 | 欠陥方程式の理解が十分ではないが、使用することができる。 | 陥方程式の理解が不十分で、使用することができない。 |
評価項目6 | フラクタル構造を理解し、フラクタル次元の計算ができる。 | フラクタル構造を理解し、フラクタル次元の計算がおおむねできる。 | フラクタル構造の理解が不十分で、フラクタル次元の計算が十分でないができる。 | フラクタル構造の理解が不十分で、フラクタル次元の計算が不完全である。 |
評価項目7 | 活性化エネルギーの説明と意味を理解し計算ができること。 | ある程度活性化エネルギーを理解し、計算ができること。 | 活性化エネルギ―のおおむねの理解と基本計算ができること。 | 活性化エネルギ―の理解と計算が不十分である。 |