到達目標
１．半導体中のキャリア濃度を導出できる。
２．半導体の磁気効果であるホール効果を説明できる。
３．drift-diffusion model によるキャリア輸送機構と少数キャリアの連続の方程式を説明できる。
４．ダイオードの整流作用をエネルギーバンド図を用いて説明できる。
５．トランジスタの増幅特性と基本特性ををエネルギーバンド図を用いて説明できる。
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
| 到達目標1 | 半導体のエネルギーバンド図が説明でき、キャリア濃度を導出できる。 | 半導体のエネルギーバンド図が説明できる。 | 半導体のエネルギーバンド図が説明できない。 |
| 到達目標2 | 半導体の磁気効果が説明でき、P型、N型の判定ができ、キャリア密度および移動度が計算できる。 | 半導体の磁気効果が説明でき、P型、N型の判定ができる。 | 半導体の磁気効果が説明できない。 |
| 到達目標3 | キャリアの輸送機構と少数キャリアの連続の方程式を導出できる。 | キャリアの輸送機構が説明できる。 | キャリアの輸送機構が説明できず、少数キャリアの連続の方程式も導出できない。 |
| 到達目標4 | ダイオードの整流作用をエネルギーバンド図を用いて説明でき、整流特性を導出できる。 | ダイオードの整流作用を説明できる。 | ダイオードの整流作用を説明できない。 |
| 到達目標5 | トランジスタの増幅特性と基本特性をエネルギーバンド図を用いて説明できる。 | トランジスタの基本特性を説明できる。 | トランジスタの基本特性を説明できない。 |
学科の到達目標項目との関係
教育方法等
概要:
半導体の基本的性質およびキャリア輸送についてバンド理論を用いて学習し、代表的な半導体デバイスであるPN接合ダイオードおよびバイポーラトランジスタの構造・特性・動作原理について理解することを目標とする。
授業の進め方・方法:
注意点:
基本的な電気磁気学を理解し、結晶の性質およびバンド理論について予習・復習しておくことが望ましい。
授業計画
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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
| 後期 |
| 3rdQ |
| 1週 |
半導体の性質とバンド理論 |
半導体の基本的性質およびバンド理論について説明できる。
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| 2週 |
半導体の性質とバンド理論 |
半導体の基本的性質およびバンド理論について説明できる。
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| 3週 |
キャリア濃度の温度変化 |
真性キャリア濃度の導出ができる。
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| 4週 |
キャリア濃度の温度変化 |
不純物半導体のキャリア濃度の温度依存性が説明できる。
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| 5週 |
半導体の磁気効果 |
ホール効果法が説明でき、各種パラメータが計算できる。
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| 6週 |
キャリアの輸送機構 |
drift-diffusion model によるキャリア輸送機構が説明できる。
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| 7週 |
キャリアの輸送機構 |
少数キャリアの連続の方程式を導出できる。
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| 8週 |
中間試験 |
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| 4thQ |
| 9週 |
ダイオードの整流特性 |
PN接合ダイオードの整流特性をエネルギーバンド図を用いて説明できる。
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| 10週 |
ダイオードの整流特性 |
PN接合ダイオードの整流特性をエネルギーバンド図を用いて説明できる。
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| 11週 |
ダイオードの整流特性 |
PN接合ダイオードの電圧・電流特性を導出できる。
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| 12週 |
ダイオードの整流特性 |
PN接合ダイオードの電圧・電流特性を導出できる。
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| 13週 |
トランジスタの増幅特性 |
バイポーラトランジスタの動作原理が説明できる。
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| 14週 |
トランジスタの増幅特性 |
バイポーラトランジスタの動作原理が説明できる。
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| 15週 |
トランジスタの増幅特性 |
トランジスタの増幅特性および基本特性を説明できる。
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| 16週 |
期末試験 |
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モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標
| 分類 | 分野 | 学習内容 | 学習内容の到達目標 | 到達レベル | 授業週 |
評価割合
| 試験 | 発表 | 相互評価 | 態度 | ポートフォリオ | その他 | 合計 |
| 総合評価割合 | 80 | 0 | 0 | 0 | 20 | 0 | 100 |
| 基礎的能力 | 40 | 0 | 0 | 0 | 10 | 0 | 50 |
| 専門的能力 | 40 | 0 | 0 | 0 | 10 | 0 | 50 |
| 分野横断的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |